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J-GLOBAL ID：200902294777144214   整理番号：08A0175919

ビット毎双方向電流書き込みおよび平行化方向電流読み込みを用いた2Mb-SPRAM(SPin-Transfer Torque RAM)

2Mb SPRAM (SPin-Transfer Torque RAM) With Bit-by-Bit Bi-Directional Current Write and Parallelizing-Direction Current Read

著者 (15件)： KAWAHARA Takayuki (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKEMURA Riichiro (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  LEE Young Min (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SASAKI Ryutaro (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  GOTO Yasushi (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  ITO Kenchi (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MEGURO Toshiyasu (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MATSUKURA Fumihiro (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  TAKAHASHI Hiromasa (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUOKA Hideyuki (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 43  号： 1  ページ： 109-120  発行年： 2008年01月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性,無限数同時書き込みなどの特徴を有するユニバーサルメモリは,瞬間オン状態,迅速ソフトウエア変更が提供でき,ユーザは随時に割り込み,望むことを再開することが可能で,さらに通常はオフ状態にできる。本論文では,0.2μmロジックプロセスを用い,MgOトンネル障壁磁気抵抗(TMR)セルを有する,読み込み速度40ns,書き込み速度100nsの,1.8V,2Mb/sスピン転移トルクRAM(SPRAM)をユニバーサルメモリの優れた候補として開発したことについて報告した。本チップは,適切なスピン転移トルク書き込みおよび平行化方向電流読み込みを達成するためのビット毎双方向電流書き込みを持つアレースキーム特徴を有する。電流方向が書き込み情報を決定するため,双方向電流書き込み回路を提案し,劣化無しでの10⁹耐性を確認した。読み込み障害を10^-3低下させた低ビットライン電圧に関して,平行化電流読み込みについて議論を行った。

シソーラス用語： 電流 ,  割込み ,  酸化マグネシウム ,  ポテンシャル障壁 ,  磁気抵抗 ,  *磁気抵抗効果 ,  スピン ,  トルク ,  *RAM【メモリ】 ,  通信線路 ,  コリメーション ,  *不揮発性メモリ ,  *記憶方式 ,  トンネル接合 ,  論理回路 ,  半導体プロセス ,  データ書込 ,  データ読取 ,  *磁気抵抗素子 ,  *ユニバーサルメモリ
準シソーラス用語： TMR ,  スピン転移 ,  トンネル障壁 ,  ビットライン

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶方式  (JC02040V) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (8件)： ビット ,  双方向 ,  書き込み ,  平行化 ,  読み込み ,  SPRAM ,  SPIN ,  RAM