VUV-CVDで生成したシリカ膜の電気特性

文献

J-GLOBAL ID：200902295255677359 整理番号：03A0547128

Electrical Properties of SiO₂ Films Deposited by Photon-Assisted CVD with Vacuum-Ultraviolet Excimer Lamp

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巻： J86-C 号： 8 ページ： 913-919 発行年： 2003年08月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

次世代の半導体製造用CVDとして,真空紫外光気相成長法(VU...

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固体デバイス材料 , 酸化物薄膜

引用文献 (9件)：

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