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J-GLOBAL ID：200902295281613296   整理番号：07A1200971

チャネル反転を有するInGaAsエンハンスメント金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのためのGa₂O₃(Gd₂O₃)/Si₃N₄二重層ゲート誘電体

Ga2O3(Gd2O3)/Si3N4 dual-layer gate dielectric for InGaAs enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with channel inversion

著者 (9件)： ZHENG J. F. (Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd., Santa Clara, California 95052, USA) ,  TSAI W. (Intel Corp., SC1-05, 2200 Mission Coll. Blvd., Santa Clara, California 95052, USA) ,  LIN T. D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  LEE Y. J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CHEN C. P. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  HONG M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  KWO J. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  CUI S. (Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., New Haven, Connecticut 06520, USA) ,  MA T. P. (Dep. of Electrical Engineering, Yale Univ., New Haven, Connecticut 06520, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 91  号： 22  ページ： 223502-1-223502-3  発行年： 2007年11月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSF...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,...

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分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (10件)： チャネル ,  反転 ,  InGaAs ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  Ga2O3 ,  Gd2O3 ,  Si3N4 ,  二重層 ,  ゲート誘電体