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J-GLOBAL ID：200902295335543108   整理番号：09A1099332

全周ゲートシリコンナノワイヤトランジスタの1/f雑音に与えるゲート電極の影響

Impact of Gate Electrodes on 1/f Noise of Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistors

著者 (10件)： WEI Chengqing (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  WEI Chengqing (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP) ,  JIANG Yu (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP) ,  JIANG Yu (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  XIONG Yong-Zhong (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP) ,  ZHOU Xing (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  SINGH Navab (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP) ,  RUSTAGI Subhash C. (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP) ,  LO Guo Qiang (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP) ,  KWONG Dim-Lee (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore, SGP)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 10  ページ： 1081-1083  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全周ゲート(GAA)シリコンナノワイヤトランジスタ(SNWT)の低周波1/f雑音をゲート電極材料を変えて強反転線形領域で調べた。電極材料はポリSi,ドープ完全NiSiシリサイド化(FUSI),アンドープNiSi FUSIである。ポリSiゲートのSNWTが他のFUSIゲートのものよりも高い雑音を示した。この結果は,相関する移動度散乱がアンドープFUSIゲートでスクリーニングされるということを仮定する相関移動度揺らぎ理論による数揺らぎで説明できる。しかしながら,ゲート/SiO₂界面でシリサイドによって誘起された不純物偏析のあるFUSIゲートは,電荷双極子によって余計な移動度散乱をもたらす。

シソーラス用語： ケイ化物 ,  ゲート【半導体】 ,  低周波雑音 ,  電極材料 ,  ポリシリコン ,  ナノワイヤ ,  *1/f雑音 ,  *FET【トランジスタ】 ,  トランジスタ ,  偏析 ,  双極子 ,  移動度 ,  電極 ,  素子構造
準シソーラス用語： *ゲート電極 ,  シリサイド ,  *ナノワイアトランジスタ ,  メタルゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  シリコンナノワイヤトランジスタ ,  雑音 ,  ゲート電極