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J-GLOBAL ID：200902295388763770   整理番号：09A1150605

GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響

Effects of Crystal Defects in GaN on Electron Devices

著者 (1件)： 塩島謙次 (福井大 大学院工学研究科)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 36  号： 3  ページ： 214-221  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者がデバイス開発の過程で観測した結晶欠陥に起因する現象として,(1)転位と電気的特性の相関,(2)p-GaN電極のSchottky障壁高さおよびメモリー効果,(3)熱処理による2次元電子気体濃度の変動,そして(4)結晶の平坦性が電子速度に与える影響,の四つの例を取り上げ,その機構を解明した結果について解説した。(1)の相関はミクロン下直径のn-GaN Schottky接触を用いて評価した。(2)の評価は低Mgドープp-GaNに対して行なった。(3)については2次元電子気体の熱的安定性を評価した。キャリアー濃度はAlGaNの結晶品質に敏感であった。(4)については,異なる結晶品質をもつ短ゲート高電子移動度トランジスターにおける電子速度を評価した。測定した速度はすべてのデバイスに対して同じであった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *格子欠陥 ,  転位【結晶】 ,  *Schottky障壁 ,  記憶効果 ,  熱処理 ,  *キャリア密度 ,  平坦性 ,  *キャリア移動度 ,  電気的性質 ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  *熱安定性
準シソーラス用語： メモリ効果

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (25件)：

• 塩島謙次. 電気学会論文誌電子情報システム部門誌C部門. 2002, 122-C, 6
• HSU, J. W. P. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1685
• HANSEN, P. J. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 2247
• SHIOJIMA, K. Journal of Vacuum Science and Technology, B. 1999, B17, 5, 2030
• SHIOJIMA, K. Appl. Phys. Letters. 2001, 78, 3636

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  電子素子 ,  結晶欠陥