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J-GLOBAL ID：200902295582440494   整理番号：09A0821718

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるTiO₂基板上での(110)SnO₂成長機構の研究

Investigation of (110) SnO₂ growth mechanisms on TiO₂ substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (3件)： TSAI M. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  WHITE M. E. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK J. S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 2  ページ： 024911  発行年： 2009年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーを用い,固定酸素圧下でスズフラックスを変えたときの(110)TiO₂上での(110)SnO₂の成長機構を調べた。二つの異なった成長レジーム(高酸素雰囲気中で成長速度が増加および高スズ雰囲気中で成長速度が減少)から成っている成長ダイアグラムを作製した。過剰なスズが高スズレジーム中での成長速度の予期しない減少に対して重要な役割を演じた。スポットがある高エネルギー電子回折パターンと強度振動がないことを用いてスズ付着層の被覆を増加させることなくSnO₂膜表面上にマクロなスズ液滴が蓄積することを立証した。衝突するスズフラックスが化学量論的組成のスズフラックスの2倍以上のときにはSnO₂の成長は起こらなかったが,これはスズ原子を蒸発させて揮発性亜酸化スズ(SnO)を形成するためにすべての活性酸素原子が消費されることを示唆している。その場四重極質量分析によって高スズ条件下で成長速度の減少をもたらす揮発性SnOの形成をモニターした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *酸化スズ ,  基板 ,  *酸化チタン ,  成長速度 ,  活性酸素 ,  RHEED ,  表面構造 ,  薄膜成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  TiO2 ,  成長 ,  研究