低-κシルセスキオキサン誘電体薄膜に関する電気的,組成的,および構造的研究

LIGATCHEV V.; GOH T.K.; YU S.; RUSLI

文献

J-GLOBAL ID：200902295883616067 整理番号：05A0708459

低-κシルセスキオキサン誘電体薄膜に関する電気的,組成的,および構造的研究

An Electrical, Compositional, and Structural Study on Low-k Silsesquioxane Dielectric Thin Films

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 152 号： 7 ページ： F83-F89 発行年： 2005年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低-κメチルシルセスキオキサン(MSQ)薄膜の欠陥状態の,原...

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誘電体一般 , 酸化物薄膜 , 有機けい素化合物 , その他の無機化合物の格子欠陥

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