導電性ペーストで層間接続を構成するALIVH(Any Layer Interstitial Via Hole)基板のペースト接続メカニズムに基づいて,新たな基板構造を実現した。導電粉の粒子径と金属組成の最適化により,圧縮性が低い小径ビアで,安定した導電経路を確保することができた。フィルム材料を用いた50μmペースト接続により,6層で0.2mmの薄型多層基板を開発した。また,基板同士の導電性ペースト接続により,キャビティ構造をもつ全層IVH(Interstitial Via Hole)構造樹脂多層基板(ALIVH-3D基板)を開発した。(著者抄録)