文献
J-GLOBAL ID:200902296032472280   整理番号:08A0569130

150~200mmの基板へのマイクロ波プラズマ支援の化学蒸気ダイヤモンド蒸着プロセスのスケール付け

Scaling the microwave plasma-assisted chemical vapor diamond deposition process to 150-200 mm substrates
著者 (9件):
資料名:
巻: 17  号: 4-5  ページ: 520-524  発行年: 2008年04月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
2つのマイクロ波プラズマ支援CVDプロセスの75mmから200mm基板へのスケールアップについて検討した。物理的サイズを2.7倍し,915MHzマイクロ波エネルギーで反応器を励起することによって,熱的に浮上する2.45GHz反応器をスケールアップする。1)超ナノ結晶ダイヤ膜(UNCD)の蒸着,2)多結晶ダイヤ膜(PCD)の蒸着の2つのプロセスを検討する。UNCD蒸着にはAr/メタン/水素のガス化学を使用し,PCDの蒸着には水素/メタンを用いた。実験の圧力は40~110Torrの範囲にあるが,マイクロ波電力入力は1.9~7kWの範囲にあり,630~950°Cの定常状態の基板温度をもたらした。150~200mm基板上で均一な蒸着が実証された;150mmでは4%,200mmでは6%の厚さの変動が30~460nm/hの蒸着速度で達成された。633°Cの低温蒸着が達成され,それによってこのプロセスを温度敏感性の材料に結び付ける可能性を実証した。2つの反応器の電力密度の比較は,大きな反応器は小さな反応器より5~9分の一の低い放電電力密度で運転され,改良された蒸着効率を示すことを示唆する。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 

前のページに戻る