文献

J-GLOBAL ID：200902296169347598   整理番号：08A0813311

水素還元雰囲気下でTDMAT(テトラキスジメチルアミノチタン)を用いた低温・低抵抗率PEALD(プラズマ原子層蒸着)TiN

Low-Temperature Low-Resistivity PEALD TiN Using TDMAT under Hydrogen Reducing Ambient

著者 (12件)： CAUBET Pierre (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BLOMBERG Tom (ASM Microchemistry Oy, Helsinki, FIN) ,  BENABOUD Rym (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  WYON Christophe (Lab. d’Electronique et des Technol. de l’Information/Minatec, Commissariat a l’Energie Atomique, Grenoble, FRA) ,  BLANQUET Elisabeth (Univ. Joseph Fourier, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  GONCHOND Jean-Pierre (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  JUHEL Marc (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BOUVET Philippe (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GROS-JEAN Mickaeel (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  MICHAILOS Jean (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  RICHARD Claire (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ITEPRAT Blaise (STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 155  号： 8  ページ： H625-H632  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiN薄膜をプラズマ原子層蒸着(PEALD)によりテトラキスジメチルアミノチタン(TDMAT)とH₂を用いてSiO₂/Si基板上に堆積した。プラズマパワー,プラズマ時間,基板温度が増大するにつれて抵抗率は低下し,>600W,>1200ms,>130°Cで抵抗率がこれらパラメータに依存しないプラトー領域(215~250μΩcm)が得られた。表面反応はTDMATの化学吸着と水素還元(Ti-H,Ti-N,Ti-C結合の形成)を通して進行する。TiN膜の抵抗率が低いのはTiN相中にTi₂CN相やTi₂N相が存在するためである。このPEALDプロセスの実用化の可能性を300mmウエハを使って評価した。膜厚と抵抗率のウエハ間均一性(0.5%)とステップカバレッジ(100%)は良好であったが,膜厚のウエハ内均一性は3.5%であり,さらに改善する必要がある。

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *化学蒸着 ,  プラズマCVD ,  薄膜成長 ,  *電気抵抗率 ,  膜厚 ,  エネルギー依存性 ,  時間依存性 ,  基板温度 ,  化学吸着 ,  還元 ,  水素 ,  成長速度 ,  均一性 ,  前駆体
準シソーラス用語： *原子層蒸着 ,  *窒化チタン

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (1件)： テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(IV)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素 ,  還元雰囲気 ,  低温 ,  低抵抗 ,  プラズマ ,  原子層蒸着 ,  TiN