縦型トンネルFETの電気的パラメータを最適化するシミュレーションアプローチ

BHUWALKA Krishna Kumar; SCHULZE Joerg; EISELE Ignaz

文献

J-GLOBAL ID：200902296224789040 整理番号：05A0640529

縦型トンネルFETの電気的パラメータを最適化するシミュレーションアプローチ

A Simulation Approach to Optimize the Electrical Parameters of a Vertical Tunnel FET

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資料名：
巻： 52 号： 7 ページ： 1541-1547 発行年： 2005年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

二次元デバイスシミュレーションを使用して,ソース領域にSiG...

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トランジスタ

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