UV発光立方晶窒化ほう素単結晶の高圧合成

文献

J-GLOBAL ID：200902296359029088 整理番号：03A0880030

High pressure synthesis of UV-light emitting cubic boron nitride single crystals

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巻： 12 号： 3/7 ページ： 1098-1102 発行年： 2003年03月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

温度傾斜法により高圧(5~5.5GPa),高温(1500~1...

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半導体の結晶成長 , 半導体の可視・紫外スペクトル

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