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J-GLOBAL ID：200902296424831075   整理番号：03A0081186

炭素ドープけい素酸化物低誘電率膜に対するヘリウムプラズマ処理後析出による酸素プラズマ損失の低減

Reduction of Oxygen Plasma Damage by Postdeposition Helium Plasma Treatment for Carbon-Doped Silicon Oxide Low Dielectric Constant Films.

著者 (4件)： WANG Y H (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  GUI D (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  KUMAR R (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  FOO P D (Inst. Microelectronics, Singapore)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 6  号： 1  ページ： F1-F3  発行年： 2003年01月 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： *プラズマプロセシング

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分類 (3件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭素 ,  ドープ ,  けい素酸化物 ,  低誘電率膜 ,  ヘリウムプラズマ ,  析出 ,  酸素プラズマ ,  損失