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J-GLOBAL ID：200902296486338464   整理番号：09A0502689

インジウムスズ酸化物ナノカラム反射防止層を用いるGaAs光起電力素子の効率増強

Efficiency Enhancement of GaAs Photovoltaics Employing Antireflective Indium Tin Oxide Nanocolumns

著者 (8件)： YU Peichen (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Chia-Hua (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIU Ching-Hua (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YANG Chin-Sheng (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YU Jue-Chin (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Hao-Chung (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Shih-Hsin (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  CHANG Yia-Chung (Academia Sinica, Taipei, TWN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 21  号： 16  ページ： 1618-1621  発行年： 2009年04月27日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2%オフカットn-GaAS基板上にMOCVD法によりn-GaAs緩衝層,n-Al_0.3Ga_0.7As窓,n-GaAsベース,p-GaAsエミッタ,p-Al_0.8Ga_0.2As窓,p+-GaAs接触層からなる積層構造の太陽電池を作製した。反射防止膜としてすれすれ入射によりITOナノ柱状層を被覆した。350~900nm波長領域において入射角70°までsおよびp偏光のいずれに対しても優れた反射防止効果を示し,光電流は42%増強された。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ヒ化ガリウム ,  積層構造 ,  MOCVD ,  *反射防止膜 ,  *酸化インジウムスズ ,  すれすれ入射 ,  *ナノ構造 ,  エネルギー変換効率 ,  光電流
準シソーラス用語： ITO ,  *ナノカラム

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過  (BD03020B) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (6件)： インジウムスズ酸化物 ,  ナノカラム ,  防止層 ,  GaAs ,  光起電力素子 ,  増強