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J-GLOBAL ID：200902296540770865   整理番号：04A0402846

フォトニック結晶構造を用いたInGaN/GaN量子井戸ヘテロ構造発光ダイオード

InGaN/GaN quantum-well heterostructure light-emitting diodes employing photonic crystal structures

著者 (8件)： WIERER J J (Lumileds Lighting, California) ,  KRAMES M R (Lumileds Lighting, California) ,  EPLER J E (Lumileds Lighting, California) ,  GARDNER N F (Lumileds Lighting, California) ,  CRAFORD M G (Lumileds Lighting, California) ,  WENDT J R (Sandia National Lab., New Mexico) ,  SIMMONS J A (Sandia National Lab., New Mexico) ,  SIGALAS M M (Agilent Technol., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 19  ページ： 3885-3887  発行年： 2004年05月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の発光ダイオード(PXLED)の注入発光特性を報告した。...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム

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分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： フォトニック結晶 ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  発光ダイオード