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J-GLOBAL ID：200902296617015127   整理番号：09A0796926

実験室規模の面内X線回折による擬hcp薄膜中積層欠陥の半定量的評価

Semi-quantitative evaluation of stacking faults in pseudo-hcp thin films by laboratory-scale in-plane x-ray diffraction

著者 (4件)： SAITO Shin (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASHIMOTO Atsushi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASEGAWA Daiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Migaku (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 42  号： 14  ページ： 145007,1-7  発行年： 2009年07月21日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 擬六方稠密構造(擬hcp)は,(111)方向面心立方(fcc),c面配向hcp,積層欠陥(SF)を持つその中間構造を含む。(11.0)と(10.0)面からの回折,D_HとD_Lを面内X線回折(XRD)で観測した。構造因子より,D_HとD_Lは,全原子層の数とABC原子相それぞれの数の不均衡から生じているとした。Lorentzおよび原子散乱補正後のD_HとD_Lの強度比(補正I_L/I_H)は,厚さ,成分原子,格子定数に依存せず,擬hcp物質のSFの度合を定義する。完全hcpおよびfcc積層の補正I_L/I_Hの理論値と統計計算よりこの指数は,完全hcp積層配列に非常に敏感であった。スパッタリングで作製された薄膜に適用し以下を確認した。1)Pt基膜はCr,Mo,Wの添加で-A-B-A-積層を安定化する。2)c面配向Co膜の補正I_L/I_Hは0.04で純粋Co膜のhcp積層確率0.9に対応する。3)Co-Ir,Co-Pt合金膜において,22-25%の合金添加元素量で完全hcp積層に近づき,強い一軸性磁気異方性に寄与する因子の一つであると考察される。

シソーラス用語： *積層欠陥 ,  X線回折 ,  構造 ,  *六方晶系 ,  *構造因子 ,  *金属薄膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  ガラス ,  *磁気異方性
準シソーラス用語： 中間構造

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 実験室 ,  規模 ,  X線回折 ,  HCP ,  薄膜 ,  積層欠陥 ,  定量的評価