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J-GLOBAL ID：200902296749884728   整理番号：06A0269237

アドミッタンススペクトロスコピー法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜の電気特性評価

著者 (9件)： 桜井岳暁 (筑波大 大学院) ,  石田宣博 (筑波大 大学院) ,  石塚尚吾 (産業技術総合研) ,  松原浩司 (産業技術総合研) ,  桜井啓一郎 (産業技術総合研) ,  山田昭政 (産業技術総合研) ,  PAUL G. K. (筑波大 大学院) ,  秋本克洋 (筑波大 大学院) ,  仁木栄 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 3  ページ： 1543  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,...
準シソーラス用語： *アドミタンススペクトル ,...

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分類 (4件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  電気特性 ,  評価