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J-GLOBAL ID：200902296755445566   整理番号：09A1177238

電子ビーム励起プラズマ中C₆₀フラーレンの昇華による非水素化非晶質炭素膜の堆積

Deposition of unhydrogenated amorphous carbon films by sublimation of C₆₀ fullerene in electron beam excited plasma

著者 (2件)： VAEZ TAGHAVI Hamed (Dep. of Mechanical Sciences and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRATA Atsushi (Dep. of Mechanical Sciences and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 64  号： 1  ページ： 83-85  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C₆₀フラーレンクラスターを炭素源として用い,非水素化非晶質炭素膜を堆積した。C₆₀クラスターは850°Cまで加熱することで昇華させた。昇華したフラーレン粉末を電子ビーム励起アルゴンプラズマ中に注入し,活性種に分解した。結果として,プラズマ中に浸され負にバイアスされた基板上に,炭素種は薄膜として凝縮する。約1.0μm/hの堆積速度と0.2nmの平均表面粗さが達成された。X線回折パターンにより膜の微細構造は非晶質であることが明らかになり,プラズマなしで堆積させたフラーレン膜は結晶構造を示した。ラマン分光分析により,膜はダイアモンド状カーボンの型の一つであることが示された。ナノインデンテーション技術を膜の硬度測定に用いて,約20GPaまでの硬度となった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭素材 ,  水素化 ,  *フラーレンC60 ,  *昇華 ,  *電子ビーム ,  励起 ,  *プラズマ ,  基板 ,  炭素 ,  薄膜 ,  表面粗さ ,  微細構造 ,  *DLC膜 ,  硬度 ,  *プラズマCVD
準シソーラス用語： プラズマ蒸着 ,  *非晶質炭素

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  C60フラーレン ,  昇華 ,  水素化 ,  非晶質 ,  炭素膜 ,  堆積