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J-GLOBAL ID：200902296833990428   整理番号：09A0848835

マイクローP構造を有する600VトレンチーゲートIGBT

600V trench-gate IGBT with Micro-P structure

著者 (5件)： NAKANO H. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  ONOZAWA Y. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  KAWANO R. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  YAMAZAKI T. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  SEKI Y. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 21st  ページ： 132-135  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 600VIGBTモジュールはハイブリッド車に適用され,更なる特性改善が自動車応用のために要望されている。フローテングPベースのトレンチゲートにより,IGBTのオン電圧降下とターンオフパワー損失のトレードオフが改善されたが,ターンオンパワー損失が増大し,ターンオンdi/dt制御性が低下した。本報告では,フローテングPベースを除去し,深いトレンチ間に挟まれた狭い領域にPベースを設けたマイクロPと呼ぶ新構造を提案した。この構造によってターンオン電流と電力損失を低減し,高い電流立ち上がりdi/dt制御性を実現できた。また,オン電圧降下を従来のIGBTに比較して,0.7V低減できた。さらに,オン状態の電圧降下とターンオフ電力損失のトレードオフをターンオフ振動の無い厳しい条件で35%改善できた。この新IGBTチップで組んだモジュールで,全パワー損失で10%低減でき,接合温度上昇を2.5°C低減できた。

シソーラス用語： *IGBT ,  ターンオフ ,  電気損失 ,  *ターンオン ,  モジュール ,  ハイブリッド自動車 ,  温度
準シソーラス用語： オン状態 ,  *トレンチゲート ,  ハイブリッド車 ,  パワー損失 ,  接合温度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： マイク ,  IGBT