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J-GLOBAL ID：200902296995630905   整理番号：09A1295061

分離キャパシタの低温埋め込みに使う(Ba,Sr)TiO₃膜の電気的性質に及ぼすUV(紫外線)支援RTA(急速熱アニーリング)の効果

Effect of UV-Assisted RTA on the Electrical Properties of (Ba,Sr)TiO₃ Films for Low Temperature Embedding of Decoupling Capacitor

著者 (8件)： CHO Kwang-Hwan (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  CHO Kwang-Hwan (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Min-Gyu (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  KANG Chong-Yun (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  YOON Seok-Jin (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  LEE YoungPak (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jong-Hee (Korea Inst. of Ceramic Engineering and Technol., Seoul, KOR) ,  CHO Bong-Hee (Univ. Suwon, Kyunggi-do, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 156  号： 12  ページ： G230-G232  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分離キャパシタに使用する多結晶(Ba,Sr)TiO₃(BST)薄膜をゾル-ゲル法により作製した。その製膜フローは次の通りである。1)BST前駆体溶液をPt被覆サファイア基板上に回転塗布する,2)150°Cに加熱する,3)紫外線を照射しながら350°Cで急速アニールをする,4)酸素雰囲気中で350°Cで5hアニールをする。100nm厚のBST膜の100kHzにおける誘電率,電気容量密度,散逸因子はそれぞれ183,16.2fF/μm²,0.48%であり,0.5MV/cmでの漏れ電流密度は1×10^-8A/cm²であった。電気容量の1次及び2次電圧係数はそれぞれ231ppm/Vと-155ppm/V²である。

シソーラス用語： *ストロンチウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  *バリウム化合物 ,  *薄膜成長 ,  ゾル-ゲル法 ,  RTA【熱処理】 ,  紫外線照射 ,  *コンデンサ ,  誘電率 ,  静電容量 ,  誘電損失 ,  漏れ電流 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： *チタン酸バリウムストロンチウム

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (10件)： キャパシタ ,  低温 ,  埋め込み ,  Ba ,  Sr ,  電気的性質 ,  紫外線 ,  支援 ,  RTA ,  急速熱アニーリング