Gaリッチ(4×6)GaAs(001)表面の特性へのSi蒸着の効果

NEGORO N; ANANTATHANASARN S; HASEGAWA H

文献

J-GLOBAL ID：200902297065591205 整理番号：03A0612172

Gaリッチ(4×6)GaAs(001)表面の特性へのSi蒸着の効果

Effects of Si deposition on the properties of Ga-rich (4×6) GaAs (001) surfaces

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0612172&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0612172&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 21 号： 4 ページ： 1945-1952 発行年： 2003年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Gaリッチ(4×6)再構成した清浄(001)GaAs表面の微...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0612172&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , 表面の電子構造

, , ,

前のページに戻る