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J-GLOBAL ID：200902297147189910   整理番号：06A1014497

Si基板上のAlGaN/GaN HEMTのオフ状態破壊特性へのFeドープGaNバッファの影響

The Effect of an Fe-doped GaN Buffer on OFF-State Breakdown Characteristics in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate

著者 (6件)： CHOI Young Chul (Cornell Univ., NY, USA) ,  POPHRISTIC Milan (Velox Semiconductor Corp., NJ, USA) ,  CHA Ho-Young (GE Global Res., NY, USA) ,  PERES Boris (Velox Semiconductor Corp., NJ, USA) ,  SPENCER Michael G. (Cornell Univ., NY, USA) ,  EASTMAN Lester F. (Cornell Univ., NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53  号： 12  ページ： 2926-2931  発行年： 2006年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶縁Si基板上に成長したFeドープGaNバッファ層を用いた...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  オフ状態 ,  破壊特性 ,  Fe ,  ドープ ,  バッファ