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J-GLOBAL ID：200902297261214584   整理番号：09A0408240

Si(001)面上における単結晶SiO₂クラスタの成長

Growth of single-crystal SiO₂ clusters on Si(001) surface

著者 (5件)： TANEMURA Tetsuo (Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN) ,  SATO Seiichi (Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN) ,  KUNDU Manisha (Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN) ,  YAMADA Chikashi (Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN) ,  MURATA Yoshitada (Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 7  ページ： 074310  発行年： 2009年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほぼ正方形状の結晶質SiO₂クラスタを清浄なSi(001)面上に形成した。この方法では,非晶質Siを堆積し,それを水素原子の存在下で酸化し,それからO₂雰囲気中でアニールする。クラスタの側面はSi(001)基板の[110]及び[1-10]方位に沿っていた。クラスタの結晶性はすれすれ入射X線回折及び低速電子回折により確認された。SiO₂クラスタの結晶構造はβ-トリジマイトであり,その[10-10]及び[0001]軸はSi(001)基板の〈110〉軸に平行であった。非晶質Siを堆積せずにSi(001)面を上述の方法で酸化しても単結晶SiO₂クラスタが形成された。しかし,クラスタの形状,サイズ及び数密度は非晶質Siから形成されたクラスタのそれらとは異なっていた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  単結晶 ,  *クラスタ ,  ウエハ【IC】 ,  アモルファスシリコン ,  熱酸化 ,  *結晶成長 ,  シリコンウエハ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  クラスタ ,  成長