シクロペンタジエニル前駆体から原子層蒸着によって成長したシリコン上のZrO<sub>2</sub>薄膜の構造と誘電特性

NIINISTOE J; PUTKONEN M; NIINISTOE L; KUKLI K; RITALA M; LESKELAE M

文献

J-GLOBAL ID：200902297383728341 整理番号：04A0076516

シクロペンタジエニル前駆体から原子層蒸着によって成長したシリコン上のZrO₂薄膜の構造と誘電特性

Structural and dielectric properties of thin ZrO₂ films on silicon grown by atomic layer deposition from cyclopentadienyl precursor

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資料名：
巻： 95 号： 1 ページ： 84-91 発行年： 2004年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

厚さ20nm未満のZrO₂薄膜を,原子...

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酸化物薄膜 , 誘電体一般

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シクロペンタジエニル前駆体から原子層蒸着によって成長したシリコン上のZrO2薄膜の構造と誘電特性

シクロペンタジエニル前駆体から原子層蒸着によって成長したシリコン上のZrO₂薄膜の構造と誘電特性