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J-GLOBAL ID：200902297657565444   整理番号：08A0938773

グラフェンのNi表面上偏析と絶縁体への転写

Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to insulators

著者 (6件)： YU Qingkai (Center for Advanced Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204, USA) ,  LIAN Jie (Dep. of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA) ,  SIRIPONGLERT Sujitra (Center for Advanced Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204, USA) ,  LI Hao (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, Univ. of Missouri, Columbia, Missouri 65211, USA) ,  CHEN Yong P. (Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  PEI Shin-shem (Center for Advanced Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 11  ページ： 113103  発行年： 2008年09月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面偏析と基板転写により高品質グラフェンを合成する手法を報告した。グラフェンは,高温で炭素をNiに溶解し,続いて様々な速度で冷却することによって周囲圧力下でNi表面から偏析させた。各種の冷却速度が異なる偏析挙動を引き起こし,グラフェン膜の厚さと品質に強く影響した。電子顕微鏡とRaman分光法は,中間冷却速度で合成したグラフェン膜が高品質結晶構造とよく制御された厚みを持つことを示した。グラフェン膜は,その高品質を維持しながら,湿式エッチングによって絶縁基板に転写されることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  ニッケル ,  表面 ,  *偏析 ,  絶縁材料 ,  転写 ,  基板 ,  化学合成 ,  炭素 ,  冷却速度 ,  膜厚 ,  品質 ,  電子顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  結晶構造 ,  エッチング ,  *グラフェン ,  絶縁体

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  Ni ,  偏析 ,  絶縁体 ,  転写