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J-GLOBAL ID：200902298004347782   整理番号：09A0004043

金属有機化学蒸着法によって低温GaNバッファ層に成長させたAlGaN膜におけるAlの組成変化

Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition

著者 (9件)： ZHAO D.g. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  JIANG D.s. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  ZHU J.j. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  LIU Z.s. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  ZHANG S.m. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  YANG Hui (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  YANG Hui (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215125, CHN) ,  JAHN U. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  PLOOG K.h. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 310  号： 24  ページ： 5266-5269  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上に成長させたAlGaNの光学的性質を調べた。AlGaN膜の陰極線ルミネセンス(CL)のスペクトルに2つのルミネセンスピークが生じ,それらのエネルギー差は成長中のAl原料束の増大とともに増すことが分かった。空間分解CL測定から,スペクトル線の分離は膜内のAlNのモル分率の違いによって生じることが分かった。Alの組成は縦および横の両方向で変化している。AlおよびGa原子の表面易動度の違い,特に初期の島合体過程への甚大な影響および不均一な膜表面における島状領域の形成がAlの組成不均一性に影響を及ぼしていると考えられる。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *バッファ層 ,  半導体材料 ,  *窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  サファイア ,  *陰極線ルミネセンス ,  *化学組成 ,  島状構造
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金属有機化学蒸着法 ,  低温 ,  GaN ,  バッファ層 ,  成長 ,  AlGaN ,  Al ,  組成変化