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J-GLOBAL ID：200902298524852846   整理番号：08A0569179

水素停止のダイヤモンド電界効果トランジスタのゲート界面層

Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors

著者 (4件)： KASU Makoto (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN) ,  UEDA Kenji (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN) ,  KAGESHIMA Hiroyuki (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN) ,  YAMAUCHI Yoshiharu (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 17  号： 4-5  ページ： 741-744  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素停止ダイヤ電界効果トランジスタの断面透過顕微鏡画像は金属と水素停止ダイヤ層の間の界面層を示す。特に興味あるのは,AlとH停止ダイヤの間の界面層が明白に見られることである。この層はエネルギー障壁に相当するが,これはダイヤFETのRF分析から確認された。成長の際に,空孔を持つ非晶質様の基板層がH停止ダイヤ上に既に形成されており,次の金属の蒸着の際に,金属が空孔を通じて基板層に拡散して,最終的に界面層が生成する。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ゲート【半導体】 ,  ヘテロ接合 ,  アルミニウム ,  ダイヤモンド ,  界面 ,  層 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 中間層

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  ダイヤモンド ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート ,  界面層