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J-GLOBAL ID：200902298672533504   整理番号：08A0428977

TiO₂抵抗性スイッチングメモリアレイ用のPt/(In,Sn)₂O₃/TiO₂ Schottky型ダイオードスイッチ

(In,Sn)₂O₃/TiO₂/Pt Schottky-type diode switch for the TiO₂ resistive switching memory array

著者 (9件)： SHIN Yong Cheol (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  SONG Jaewon (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  KIM Kyung Min (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  CHOI Byung Joon (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  CHOI Seol (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  LEE Hyun Ju (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  KIM Gun Hwan (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  EOM Taeyong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...) ,  HWANG Cheol Seong (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 16  ページ： 162904  発行年： 2008年04月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クロスバー型抵抗スイッチングメモリアレイに用いるPt/(In,Sn)₂O₃/TiO₂/Ptスタックで構成されたSchottky型ダイオードスイッチを作製した。それぞれTiO₂/Pt及びTiO₂/(In,Sn)₂O₃接合での高(0.55eV)及び低ポテンシャルバリアはこのスタック構造で整流特性を構成している。順/逆方向電流比は約1Vの印加電圧で約1.6×10⁴と高かった。Pt/TiO₂/Ptメモリをこのダイオードに直列接続すると,順バイアスでダイオードからメモリ機能への著しい干渉があり,逆バイアスでは事実上抵抗のスイッチングは無かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  MIM構造 ,  不揮発性メモリ ,  アレイ ,  *Schottky障壁ダイオード ,  スイッチングダイオード ,  直列接続 ,  電流電圧特性 ,  整流
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： TiO2 ,  抵抗性 ,  スイッチング ,  メモリアレイ ,  Pt ,  Sn ,  ダイオードスイッチ