ラジカルソース分子線エピタキシャル法によって成長させたZn極性を持つZnMgO/ZnOヘテロ構造における2次元電子ガス

TAMPO H.; SHIBATA H.; MATSUBARA K.; YAMADA A.; FONS P.; NIKI S.; YAMAGATA M.; KANIE H.

文献

J-GLOBAL ID：200902298880467051 整理番号：06A0790421

ラジカルソース分子線エピタキシャル法によって成長させたZn極性を持つZnMgO/ZnOヘテロ構造における2次元電子ガス

Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO/ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=06A0790421&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0790421&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (8件)：

TAMPO H.

TAMPO H. について

名寄せID(JGPN) 200901100333587893 ですべてを検索
「TAMPO H.」ですべてを検索
研究者情報を見る

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000174437891 ですべてを検索
「National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

SHIBATA H.

SHIBATA H. について

名寄せID(JGPN) 200901100362744981 ですべてを検索
「SHIBATA H.」ですべてを検索
研究者情報を見る

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000174437891 ですべてを検索
「National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

MATSUBARA K.

MATSUBARA K. について

名寄せID(JGPN) 200901100426267368 ですべてを検索
「MATSUBARA K.」ですべてを検索

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000174437891 ですべてを検索
「National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

YAMADA A.

YAMADA A. について

名寄せID(JGPN) 200901100444162832 ですべてを検索
「YAMADA A.」ですべてを検索

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000174437891 ですべてを検索
「National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

FONS P.

FONS P. について

名寄せID(JGPN) 200901100450230904 ですべてを検索
「FONS P.」ですべてを検索
研究者情報を見る

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000174437891 ですべてを検索
「National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

NIKI S.

NIKI S. について

名寄せID(JGPN) 200901100493217537 ですべてを検索
「NIKI S.」ですべてを検索
研究者情報を見る

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000174437891 ですべてを検索
「National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

YAMAGATA M.

YAMAGATA M. について

名寄せID(JGPN) 200901100374948060 ですべてを検索
「YAMAGATA M.」ですべてを検索

(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)

Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan について

名寄せID(JGON) 201551000096387713 ですべてを検索
「Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan」ですべてを検索
機関情報を見る

KANIE H.

KANIE H. について

名寄せID(JGPN) 200901100344413978 ですべてを検索
「KANIE H.」ですべてを検索
研究者情報を見る

(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)

Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan について

名寄せID(JGON) 201551000096387713 ですべてを検索
「Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan」ですべてを検索
機関情報を見る

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について

JST資料番号 H0613A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

巻： 89 号： 13 ページ： 132113-132113-3 発行年： 2006年09月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

ラジカルソース分子線エピタキシャル法によって成長させたZn極...

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

*二次元電子ガス

二次元電子ガスについて

「二次元電子ガス」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0790421&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (3件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

半導体結晶の電気伝導

(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導について

分類コード BM03043X で文献を検索
分類コード4桁 BM03 で文献を検索

, 固体プラズマ

(BM02160W)

固体プラズマについて

分類コード BM02160W で文献を検索
分類コード4桁 BM02 で文献を検索

, 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

(BM03082Y)

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合について

分類コード BM03082Y で文献を検索
分類コード4桁 BM03 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (8件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

分子線

分子線について

「分子線」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

エピタキシャル

エピタキシャルについて

「エピタキシャル」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

成長

成長について

「成長」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

Zn について

「Zn」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

極性

極性について

「極性」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ZnO

ZnO について

「ZnO」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ヘテロ構造

ヘテロ構造について

「ヘテロ構造」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

2次元電子ガス

2次元電子ガスについて

「2次元電子ガス」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る