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J-GLOBAL ID：200902299044755847   整理番号：03A0186136

ZnOの注入アイソレーション

Implant isolation of ZnO.

著者 (9件)： KUCHEYEV S O (Lawrence Livermore National Lab., California) ,  JAGADISH C (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  WILLIAMS J S (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  DEENAPANRAY P N K (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  YANO M (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  KOIKE K (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  SASA S (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  INOUE M (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  OGATA K (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 93  号： 5  ページ： 2972-2976  発行年： 2003年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型ZnOエピ層中のイオン注入アイソレーションについて調べた...

シソーラス用語： *アイソレーション【IC】 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnO ,  注入 ,  アイソレーション