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J-GLOBAL ID：200902299649115793   整理番号：09A0064042

Biナノワイヤの電子輸送における境界粗さの役割

Role of boundary roughness in the electronic transport of Bi nanowires

著者 (5件)： HUBER T. E. (Howard Univ., Washington, DC 20059, USA) ,  NIKOLAEVA A. (Inst. of Electronic Engineering and Industrial Technologies, ASM, Chisinau MD-2028, Moldova) ,  GITSU D. (Inst. of Electronic Engineering and Industrial Technologies, ASM, Chisinau MD-2028, Moldova) ,  KONOPKO L. (Inst. of Electronic Engineering and Industrial Technologies, ASM, Chisinau MD-2028, Moldova) ,  GRAF M. J. (Dep. of Physics, Boston Coll., Chestnut Hill, Massachusetts 02467, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 12  ページ： 123704  発行年： 2008年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミナマトリックス中に埋め込まれた200nm直径のビスマスナノワイヤアレイ中の電子輸送を報告する。ここでナノワイヤは,三方晶結晶軸がワイヤの長さ方向に平行に優先配向している。実験は広い範囲の温度(4~300K)にわたる抵抗と熱起電力並びに9Tに到る磁場までの磁気抵抗の測定に基づく。FermiエネルギーはLandau準位スペクトルから得られる。結果はワイヤが固有電子濃度と正孔濃度を持つことを示す。高温で移動度は温度に依存し,電子移動度は正孔移動度より数オーダー大きい。このナノワイヤ移動度の挙動は,バルクでも見られるが,キャリア-フォノン散乱に起因する。低温で,移動度は温度に依存せず,電子と正孔で大体同じである。境界粗さ散乱に基づく解釈を提案する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ビスマス ,  *ナノワイヤ ,  *ナノ構造 ,  *細線 ,  境界 ,  *表面粗さ ,  アルミナ ,  優先配向 ,  電気抵抗 ,  熱起電力 ,  磁気抵抗 ,  Fermi準位 ,  Landau準位 ,  キャリア移動度 ,  *電気伝導 ,  マトリックス【母体】 ,  埋込み【挿入】
準シソーラス用語： Fermiエネルギー ,  *ナノワイヤアレイ ,  正孔移動度 ,  電荷輸送 ,  電子移動度

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (6件)： Bi ,  ナノワイヤ ,  電子輸送 ,  境界 ,  粗さ ,  役割