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J-GLOBAL ID：200902299785914276   整理番号：08A1246287

ドデシルベンゼンスルホン酸界面活性剤と錯化剤としてグリシンを用いたCuのCMP(化学的機械研磨)における溶解抑制

Dissolution Inhibition in Cu-CMP Using Dodecyl-Benzene-Sulfonic Acid Surfactant with Oxalic Acid and Glycine as Complexing Agents

著者 (4件)： SURISETTY C. V. V. S. (Clarkson Univ., New York) ,  GOONETILLEKE P. C. (Clarkson Univ., New York) ,  ROY D. (Clarkson Univ., New York) ,  BABU S. V. (Clarkson Univ., New York)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 155  号： 12  ページ： H971-H980  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuの化学的機械研磨(CMP)におけるCuの溶解抑制剤として陰イオン界面活性剤のドデシルベンゼンスルホン酸(DBSA)が有効であることを示した。酸化剤(H₂O₂)と錯化剤(グリシン,シュウ酸,グリシン+シュウ酸)を含むシリカ系スラリーを使って,DBSAの有無によるCu除去速度の差異を測定した。錯化剤がシュウ酸の場合は,化学作用が支配的であり,DMSAが表面を保護し,Cu面には目立った欠陥は認められなかった。グリシン,シュウ酸,DBSAを同時に添加した場合に最良の結果が得られた。すなわち,Cuの溶解はほぼ完全に抑制され,Cuの研磨速度はかなり高く,仕上げ面の性状は良好であった。DBSAは高pH値のKOH水溶液により最もよく除去できる。また,電気化学的方法(直流分極,インピーダンス・スペクトロスコピー)により,研磨条件下で回転Cu円盤電極の表面化学反応を調べた。

シソーラス用語： 陰イオン界面活性剤 ,  試薬 ,  *超小形回路技術 ,  *銅 ,  速度 ,  溶解 ,  電気化学インピーダンス ,  *アミノ酸 ,  アルカリ洗浄 ,  表面性状 ,  電気化学的分極 ,  *ABS【化合物】 ,  脂肪族アミン ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジカルボン酸 ,  *化学機械研磨 ,  錯化剤 ,  *機械工作
準シソーラス用語： *CMP研磨 ,  除去速度

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (3件)： p-ドデシルベンゼンスルホン酸 ,  グリシン ,  シュウ酸

タイトルに関連する用語 (9件)： ドデシルベンゼン ,  スルホン酸 ,  界面活性剤 ,  錯化剤 ,  グリシン ,  Cu ,  CMP ,  化学的機械研磨 ,  溶解