遷移金属イオンドーピングγ-Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>半導体粒子を用いた光触媒水素生産

文献

J-GLOBAL ID：200902299857102522 整理番号：04A0439670

遷移金属イオンドーピングγ-Bi₂O₃半導体粒子を用いた光触媒水素生産

Photocatalytic hydrogen production using transition metal ions-doped γ-Bi₂O₃ semiconductor particles

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資料名：
巻： 29 号： 9 ページ： 933-940 発行年： 2004年08月
JST資料番号： B0192B ISSN： 0360-3199 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

バンドギャップ2.8eVの酸化物半導体である標記の半導体粒子...

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光化学一般 , 気体燃料の製造

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