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J-GLOBAL ID：200902299884611927   整理番号：08A0812051

1MHzで300W出力電力をもつ97.8%高効率GaN系HEMT昇圧変換器

A 97.8% Efficient GaN HEMT Boost Converter With 300-W Output Power at 1MHz

著者 (4件)： WU Yifeng (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA) ,  JACOB-MITOS Matt (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA) ,  MOORE Marcia L. (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA) ,  HEIKMAN Sten (Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 8  ページ： 824-826  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)スイッチの利点を検討するため,高効率の175~350Vハードスイッチ型昇圧変換器について調べた。改善した高電圧GaN系HEMT素子を用いて,この昇圧変換器をSiC基板上に作製した。空乏モードGaN系素子の低保持電荷と低オン抵抗により,超高速過渡スイッチングと超低損失を可能にした。1MHzのときに60~300Wの出力電力範囲で97%~98%範囲の高電力効率を得た。今まで報告された1MHzのときの全スイッチング変換器のうちで,最高変換効率の214wで98%のピーク電力効率を得た。エンハンスメントモード素子はスイッチング電力応用に選択使用されるが,この結果から,この分野でのワイドバンドギャップGaN素子の有望性を明らかにした。

シソーラス用語： *電力変換器 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  スイッチングトランジスタ ,  電源装置 ,  周波数特性 ,  電流電圧特性 ,  パワーエレクトロニクス ,  電力効率 ,  スイッチング素子

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 出力電力 ,  高効率 ,  GaN ,  HEMT ,  昇圧変換器