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J-GLOBAL ID：200902299927102916   整理番号：07A0926277

Ge凝縮法と低温移動増速エピタクシー法を用いたSi系基板へのGaAsエピタキシャル層の組み入れ

Integration of GaAs epitaxial layer to Si-based substrate using Ge condensation and low-temperature migration enhanced epitaxy techniques

著者 (6件)： OH Hoon Jung (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP) ,  CHOI Kyu Jin (Jusung Engineering, Kyunggi-Do 464-890, KOR) ,  LOH Wei Yip (Inst. of Microelectronics, Singapore 117685, SGP) ,  HTOO Thwin (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP) ,  CHUA Soo Jin (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP) ,  CHO Byung Jin (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 102  号： 5  ページ： 054306  発行年： 2007年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高チャネル移動度金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタへ適...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： *SGOI構造

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ge ,  凝縮 ,  低温 ,  増速 ,  エピタクシー ,  Si ,  GaAs ,  エピタキシャル層 ,  組み入れ