特許

J-GLOBAL ID：200903000005138804

固体撮像素子及び装置

発明者： 倉本 哲次 ,  中川 眞
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-075858
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251074
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】フォトダイオードの深い領域で生成された信号キャリアに起因する残像現象を、感度を低下させることなく抑制する。【解決手段】酸素濃度が14×1017/cm3以下であるシリコン基板2の主表面側に、フォトダイオード22を構成する複数のN+拡散領域4が互いに離間して形成されている。シリコン基板2がアノード、N+拡散領域4がカソードとなってフォトダイオードのPN接合を形成している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層の主表面に画素ごとに形成されたフォトダイオードを備えた固体撮像素子において、 前記半導体層に含まれる酸素濃度が14×1017/cm3以下であることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

H01L27/14 A ,  H01L31/10 A ,  H04N5/33 ,  H04N5/335 P ,  H04N5/335 U

Fターム (26件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA09 ,  4M118CA18 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118GA10 ,  5C024AX06 ,  5C024CX17 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049PA09 ,  5F049PA18 ,  5F049QA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 固体イメージセンサ及び固体イメージセンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-334055   出願人：三菱電機株式会社
• 特許第3457551号公報
  
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246234   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-041080
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-369257   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭57-041080