特許
J-GLOBAL ID：200903000016014279

半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体

発明者：
森 克己

森 克己 について

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川原 敬

川原 敬 について

, 
糟谷 良和

糟谷 良和 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075671
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267321
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 ダミー配線層が所定のパターンで形成された半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。【解決手段】 半導体装置は、第1の配線層30と、第1の配線層30と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層32とを有する。行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線L1を想定すると、第1の仮想直線L1と行方向とのなす角は、2〜40度であり、ダミー配線層32は、第1の仮想直線L1上に位置するように、配置されている。また、列方向と交差する方向に沿って伸びる、第2の仮想直線L2を想定すると、第2の仮想直線L2と列方向とのなす角は、2〜40度であり、ダミー配線層32は、第2の仮想直線L2上に位置するように、配置されている。
請求項（抜粋）：
第1の配線層と、前記第1の配線層と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層とを有し、行方向と交差する方向に沿って伸びる、第1の仮想直線を想定すると、前記第1の仮想直線と前記行方向とのなす角は、2〜40度であり、前記ダミー配線層は、前記第1の仮想直線上に位置するように、配置された、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/82
FI (5件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/88 S ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/88 Z
Fターム (31件)：
2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033VV01 ,  5F033XX01 ,  5F064EE09 ,  5F064EE14 ,  5F064EE16 ,  5F064EE19 ,  5F064EE23 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE42 ,  5F064EE57 ,  5F064HH06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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