液晶パネルおよび液晶パネル用基板および電子機器並びに投写型表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103709
公開番号（公開出願番号）：特開平10-293323
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリックス液晶パネルにおいては、各画素ごとに保持容量が形成され、この保持容量の一方の電極を定電位に固定する容量線がデータ線とが交差するためデータ線の寄生容量が増加するとともに、容量線とデータ線との間のカップリング容量を介して保持容量にノイズが入り電位が安定しなくなる。【解決手段】画素電極の下方の半導体基板の表面に画素電極をスイッチングするMOSFETのドレイン領域となる比較的不純物濃度の高い半導体領域を拡張形成して保持容量の一方の電極となし、この半導体領域の上方に絶縁膜を介して保持容量の他方の電極となる導電層を形成し、この導電層は半導体基板の表面に形成されたこれと同一導電型の高濃度コンタクト領域を介して半導体基板に電気的に接続させて保持容量の一方の電極に基板電位を印加するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に反射電極がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々スイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子を介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成されるとともに、上記スイッチング素子のオン時に電荷が蓄積される保持容量が各画素ごとに設けられてなる液晶パネル用基板において、上記反射電極の下方の半導体基板表面に上記スイッチング素子を構成する半導体領域と連続し保持容量の一方の電極となる比較的不純物濃度の高い半導体領域が形成され、この半導体領域の上方に絶縁膜を介して上記保持容量の他方の電極となる導電層が各画素毎に形成され、前記導電層は上記半導体基板の表面に形成された高不純物濃度のコンタクト領域に接続され、該コンタクト領域を介して上記導電層に上記半導体基板と同一の電位が印加されるように構成されていることを特徴とする液晶パネル用基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-056827
液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-324443 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平3-280018

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