特許

J-GLOBAL ID：200903000075727980

強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ

発明者： 三浦 薫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-190945
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036171
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】 SBTおよびSBNと同様の効果をもって、疲労を抑制することができ、SBTおよびSBNより、優れた残留分極(Pr)を有する強誘電体材料、およびこの強誘電体材料を用いた強誘電体メモリを得る。【解決手段】 SrBi2 Ta2 O9 のTa、またはSrBi2 Nb2 O9 のNbのそれぞれのサイトの一部、または全部を、バナジウム(V)に置換した強誘電体材料を作製し、さらに強誘電体メモリのキャパシタ部分の誘電体膜に、この強誘電体材料を使用した強誘電体メモリを作製する。

請求項（抜粋）：

強誘電体材料であるSrBi2 Ta2 O9 、またはSrBi2 Nb2 O9 において、SrBi2 Ta2 O9 のTaのサイト、またはSrBi2 Nb2 O9 のNbのサイトの各一部、または全部を、バナジウム(V)に置換したことを特徴とする強誘電体材料。

IPC (9件)：

C04B 35/495 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 312 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

C04B 35/00 J ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 312 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 分極互換バッファ層を有する金属絶縁体半導体構造体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-509508   出願人：サイメトリックスコーポレイション, 松下電子工業株式会社