分極互換バッファ層を有する金属絶縁体半導体構造体

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-509508
公開番号（公開出願番号）：特表2000-505238
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】MIS素子(20)は、半導体基板(22)、窒化シリコンバッファ層(24)、強誘電金属酸化物超格子材料(26)および貴金属上部電極(28)を含む。層状超格子材料(26)は、好適にはストロンチウムビスマスタンタレート、ストロンチウムビスマスニオベートまたはストロンチウムビスマスニオブタンタレートである。素子は、層状超格子材料の堆積に先立って、窒化シリコンを半導体基板上で形成する工程を含む好適な方法によって構成される。層状超格子材料は、好適には、プリカーサ溶液を加熱すると自発的に層状超格子を発生させる液体ポリオキシアルキレート化金属有機物プリカーサを使用して堆積される。プリカーサ液体の乾燥中のUV露光は、最終の結晶にC軸配向を与え、改良された薄膜電気特性をもたらす。

請求項（抜粋）：

半導体基板(22)および該基板上に形成されるバッファ層(36)、該バッファ層上に形成される強誘電材料(38)および上部電極(40)を含む、集積回路で使用するための強誘電素子(20、60)であって、該強誘電材料が層状超格子材料であり、該バッファ層が100Å〜200Åの範囲の厚さを有することを特徴とする強誘電素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

特表平5-503609
電界効果トランジスタ、これに用いる誘電体積層構造およびこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295434 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
特表平7-502150

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