特許

J-GLOBAL ID：200903000078389147

分布定数型非可逆素子及び分布定数型非可逆素子用ガーネット単結晶

発明者： 山本 節夫 ,  松浦 満 ,  大城 和宣 ,  田中 輝光 ,  丹野 雅行
出願人/特許権者： 国立大学法人山口大学 ,  信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 野口 恭弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-079023
公開番号（公開出願番号）：特開2006-262260
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】分布定数型非可逆素子の構造を複雑にすることなしに、横方向の小型化が可能な手段を提供すること。【解決手段】永久磁石によりバイアス磁場を印加された軟磁性フェライト20と、該軟磁性フェライトにマイクロ波を誘導するための入出力端子35を有する中心導体30および接地導体から成る分布定数型非可逆素子であって、該軟磁性フェライトの飽和磁化4πMs、該軟磁性フェライト内部のバイアス磁場Hin、及び磁気回転比γにより、式(1)及び式(2)でそれぞれ定義される周波数f1およびf2を用いて、その非可逆動作周波数fnrが式(3)の関係を満たすように構成されたことを特徴とする分布定数型非可逆素子。 f1 < fnr < f2 (3)【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

永久磁石によりバイアス磁場を印加された軟磁性フェライトと、該軟磁性フェライトにマイクロ波を誘導するための入出力端子を有する中心導体および接地導体から成る分布定数型非可逆素子であって、 該軟磁性フェライトの飽和磁化4πMs、該軟磁性フェライト内部のバイアス磁場Hin、及び磁気回転比γにより、式(1)及び式(2)でそれぞれ定義される周波数f1およびf2を用いて、 その非可逆動作周波数fnrが式(3)の関係を満たすように構成されたことを特徴とする分布定数型非可逆素子。

IPC (1件)：

H01P 1/387

FI (1件)：

H01P1/387

Fターム (1件)：

5J013GA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 非可逆回路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-324546   出願人：株式会社村田製作所