特許

J-GLOBAL ID：200903000103642839

焼結体の製造方法および焼結体

発明者： 石川 剛 ,  山口 和芳
出願人/特許権者： ペンタックス株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235210
公開番号（公開出願番号）：特開2004-075423
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】大がかりな装置を用いることなく、高密度の焼結体を製造し得る焼結体の製造方法、および、かかる焼結体の製造方法により製造される焼結体を提供すること。【解決手段】図1に示す焼結体の製造方法は、ハイドロキシアパタイト粉体の製造工程1と、圧粉体の製造工程2と、圧粉体の整形工程3と、圧粉体の焼成工程4とを有している。工程[2]におけるの加圧の方法は、等方的に加圧する方法、特に静水圧加圧が好ましく、加圧の圧力は、1ton/cm2以上であるのが好ましい。また、静水圧加圧としては、5〜50°C程度の温度で加圧されるCIP法が好ましい。また、工程[4]における焼成は、圧粉体を、大気の酸素分圧より高い酸素分圧の酸素含有雰囲気中で焼成することにより行われる。酸素分圧は、380mmHg以上であるのが好ましく、焼成温度は、925〜1300°Cであるのが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ハイドロキシアパタイト粉体を、1ton/cm2以上の圧力で加圧して圧粉体を得る工程と、 大気の酸素分圧より高い酸素分圧の酸素含有雰囲気中で、前記圧粉体を925〜1300°Cの温度で焼成して焼結体を得る工程とを有することを特徴とする焼結体の製造方法。

IPC (5件)：

C04B35/447 ,  A61L27/00 ,  B28B3/00 ,  B28B3/02 ,  C04B35/626

FI (5件)：

C04B35/00 S ,  A61L27/00 J ,  B28B3/00 102 ,  B28B3/02 P ,  C04B35/00 A

Fターム (16件)：

4C081AB03 ,  4C081CF031 ,  4C081DA01 ,  4C081EA04 ,  4G030AA08 ,  4G030AA41 ,  4G030BA35 ,  4G030GA01 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G054AA06 ,  4G054AC00 ,  4G054BA00 ,  4G054BA62 ,  4G054BE02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-129057
  
• 高温酸素センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-074611   出願人：旭光学工業株式会社
• 焼結体の製造方法および焼結体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-347984   出願人：ペンタックス株式会社