特許

J-GLOBAL ID：200903000154012813

半導体の製造方法及び検査方法並びにそのための装置

発明者： 濱村 有一 ,  嶋瀬 朗 ,  水越 克郎 ,  本郷 幹雄 ,  東 淳三 ,  水村 通伸 ,  横山 夏樹 ,  石谷 亨
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267273
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116872
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体の製造工程の途中段階で試料の断面を検査し、この試料を再び製造ラインに戻して、この試料の製造及び製造ラインに影響を与えずに製造を継続すること。【解決手段】 半導体ウエハの製造途中の任意の工程後に、半導体ウエハの断面を露出させるために局所的に加工する工程と、前記断面の検査を行う工程と、前記検査で不良と判断された場合、前記断面検査情報と、前記任意の工程までの製造来歴情報と、前記任意の工程までの異物やパターン等の検査情報と、設計情報と、に基づいて半導体ウエハの不良解析を行い、前記不良解析結果に基づいて前記任意の工程までの製造条件を修正する工程と、半導体ウエハの断面を露出させるために除去した部分を埋め込む工程と、からなり、前記任意の工程の次の工程に前記半導体ウエハを戻して製造を継続する半導体ウエハの製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの製造途中の任意の工程後に、前記半導体ウエハを局所的に加工し、前記半導体ウエハの加工面を検査し、前記半導体ウエハの加工した部分を埋め込み、前記任意の工程の次の工程に前記半導体ウエハを戻して製造を継続することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 集束イオンビーム加工方法及びその加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035067   出願人：株式会社日立製作所