特許

J-GLOBAL ID：200903000172441128

半導体放射線検出素子

発明者： 船木 稔
出願人/特許権者： 株式会社アクロラド
代理人 (1件)： 山本 彰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341549
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142673
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に形成された多数の電極と、集積回路との電気的結合に際し、結合金属が直接半導体基板に接触することを有効な絶縁体皮膜により防止する。【解決手段】 半導体基板1の少なくとも1つの面に複数の電極2を有する半導体放射線検出素子において、当該複数の電極2が形成された面で、電極2が形成された部位以外の半導体基板1の表面の一部またはすべてを、アルミニウム、窒素、酸素の3つの元素から構成される電気的絶縁体皮膜4で覆ってなり、好ましくは、前記半導体基板1がCdTeまたはCdZnTeであり、また、前記電気的絶縁体皮膜4の組成が、原子数比でアルミニウムが40%以上55%以下であって、窒素が25%以上50%以下、酸素が3%以上25%以下の範囲であり、且つ非晶質であること。

請求項（抜粋）：

半導体基板の少なくとも1つの面に複数の電極を有する半導体放射線検出素子において、当該複数の電極が形成された面で、電極が形成された部位以外の半導体基板の表面の一部またはすべてを、アルミニウム、窒素、酸素の3つの元素から構成される電気的絶縁体皮膜で覆ったことを特徴とする半導体放射線検出素子。

IPC (7件)：

H01L 27/146 ,  G01T 1/24 ,  G01T 7/00 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 31/09

FI (7件)：

G01T 1/24 ,  G01T 7/00 A ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/14 F ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A ,  H01L 31/08 N

Fターム (39件)：

2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ10 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK32 ,  2G088LL11 ,  2G088LL12 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  4M118HA31 ,  5F058BB01 ,  5F058BC20 ,  5F058BF13 ,  5F058BJ03 ,  5F088AB09 ,  5F088BA11 ,  5F088BA16 ,  5F088BB06 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA14 ,  5F088EA16 ,  5F088JA03 ,  5F088JA20 ,  5F088LA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 放射検出器および撮像素子のための半導体基板上の接点形成
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-520190   出願人：シマゲオユ
• 放射線検出器およびアレイ型放射線検出器および二次元放射線撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-053188   出願人：株式会社島津製作所
• 特開平3-134586
  
• 特開平3-134586