特許

J-GLOBAL ID：200903000179091742

半導体装置の製造方法

発明者： 山手 正浩 ,  篠原 博文 ,  北 明夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258123
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115138
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、半導体装置の中でも特にDRAMなどのキャパシタ部において、粗面ポリシリコン膜(導電性膜)からなるストレージ電極の製造方法に関するもので、その粗面ポリシリコン膜にイオン注入すると、イオンのエネルギーにより粗面粒の形状が変形し、粗面にしたことによる予定通りの表面積の増加が得られず、必要な容量を安定的に得られなくなるという問題点を解決することを目的とする。【構成】 本発明は、ストレージ電極6となる粗面ポリシリコン膜4を形成し、その上に保護膜5を形成してから、不純物のイオン注入をするようにしたものである。実施例としては、その保護膜5をキャパシタ絶縁膜7とした例、セルプレート電極8まで形成した後イオン注入する例を挙げてある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、粗面を有する導電性膜を形成し、その上に保護膜を形成した後、不純物のイオン注入を行なって、キャパシタ部のストレージ電極を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 325 M ,  H01L 21/265 P ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335022   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社