特許
J-GLOBAL ID：200903000186437557
表面弾性波素子
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276260
公開番号（公開出願番号）：特開平9-098059
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 良好な伝搬速度V及び周波数温度特性TCFを実現し、且つ、良好な伝搬損失をも実現することにより、高周波領域で優れた動作特性を有する表面弾性波素子を提供する。【解決手段】 (i)ダイヤモンド層と、(ii)厚さt3 をもってダイヤモンド層の上に形成される櫛型電極と、(iii)t1 /t3 ≧10たる厚さt1 をもって、ダイヤモンド層の上に、櫛型電極を覆って形成される多結晶C軸配向性のZnO層と、(iv)厚さt2 をもってZnO層の上に形成されるSiO2 層とを備え、0次モードの表面弾性波の波長λについて、kh1=2πt1 /λ、kh2=2πt2 /λで与えられるkh1及びkh2に関して、図1の領域ABCDEFA内に与えられる。
請求項（抜粋）：
(i)ダイヤモンド層と、(ii)厚さt3 をもって前記ダイヤモンド層の上に形成される櫛型電極と、(iii)t1 /t3 ≧10たる厚さt1 をもって、前記ダイヤモンド層の上に、前記櫛型電極を覆って形成される多結晶C軸配向性のZnO層と、(iv)厚さt2 をもって前記ZnO層の上に形成されるSiO2 層とを備える表面弾性波素子であって、0次モードの表面弾性波の波長λについて、kh1=2πt1 /λ、kh2=2πt2 /λで与えられるkh1及びkh2に関して、縦軸にkh1、横軸にkh2を与える2次元直交座標グラフにおいて、座標(kh1=0.300,kh2=0.115)で与えられる点Aと、座標(kh1=0.280,kh2=0.090)で与えられる点Bと、座標(kh1=0.200,kh2=0.260)で与えられる点Cと、座標(kh1=0.200,kh2=0.530)で与えられる点Dと、座標(kh1=0.290,kh2=0.540)で与えられる点Eと、座標(kh1=0.300,kh2=0.520)で与えられる点Fと、前記点Aとを順に線分で結ぶ6本の線分から成る領域ABCDEFAの前記6本の線分上を含む内部に、kh1とkh2とが与えられることを特徴とする表面弾性波素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03H 9/25 C
, H03H 9/145 C
