特許

J-GLOBAL ID：200903000191662500

窒化ケイ素焼結体およびそれからなるスパッタターゲット

発明者： 今村 寿之 ,  祖父江 昌久 ,  福沢 宏
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158906
公開番号（公開出願番号）：特開平11-349381
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】 スパッタターゲットの洗浄および作業能率の点で効果が大きい緻密質であるとともに、スパッタ時の熱応力割れの発生を著しく軽減させうる窒化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 マグネシウム(Mg)またはイットリウム(Y)を酸化マグネシウム(MgO)または酸化イットリウム(Y2O3)換算で、その合計量が0.3〜40mol%含有し、常温における熱伝導率が40W/(m・K)以上、常温における3点曲げ強度が600MPa以上、真密度を100%としたときの相対密度が96%以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

マグネシウム(Mg)またはイットリウム(Y)を酸化マグネシウム(MgO)または酸化イットリウム(Y2O3)換算で、その合計量が0.3〜40mol%含有し、常温における熱伝導率が40W/(m・K)以上、常温における3点曲げ強度が600MPa以上、真密度を100%としたときの相対密度が96%以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/584 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

C04B 35/58 102 C ,  C23C 14/34 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化珪素焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-319367   出願人：電気化学工業株式会社
• 高熱伝導率窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法ならびに窒化ケイ素質焼結体製絶縁基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-186003   出願人：日産自動車株式会社
• 特開平2-083261
  
• 特開平2-083261