高熱伝導性窒化けい素構造部材の製造方法および半導体パッケ-ジの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332960
公開番号（公開出願番号）：特開平11-292632
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：

【要約】【課題】窒化けい素焼結体が本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素構造部材の製造方法およびその構造部材を用いた半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る高熱伝導性窒化けい素構造部材の製造方法は、α相型窒化けい素を90重量%以上含有し、平均粒径0.8μm以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後焼結し、焼結温度から焼結時に生成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の冷却速度を毎時100°C以下にして製造したことを特徴とする。また本発明の半導体パッケージの製造方法は、上記のような製造方法によって製造した高熱伝導性窒化けい素構造部材をセラミックス基体1として使用し、そのセラミックス基体1に半導体チップ2を搭載することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

α相型窒化けい素を90重量%以上含有し、平均粒径0.8μm以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後焼結し、焼結温度から焼結時に生成された液相が凝固する温度までに至る焼結体の冷却速度を毎時100°C以下にして製造することを特徴とする高熱伝導性窒化けい素構造部材の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/584 , C04B 35/64 , H01L 23/08 , H01L 23/373

FI (5件)：

C04B 35/58 102 T , H01L 23/08 C , C04B 35/58 102 C , C04B 35/64 C , H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-100066
窒化珪素質焼結体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-315073 出願人：京セラ株式会社
特開平4-212441

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