特許

J-GLOBAL ID：200903000203876802

半導体装置の製造方法

発明者： 松田 友子
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-039643
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253446
出願日： 2003年02月18日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象(TED)及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】MOSトランジスタのポケット領域を形成するためにインジウムをイオン注入する。その後、インジウムのイオン注入で発生したTEDの原因となる点欠陥を回復させるため、第1の温度でRTA処理によるアニールを行う。このとき、第1の温度は、インジウムが熱処理に伴う通常の再分布による拡がり量をも考慮する。その後、エクステンション領域を形成するためにフッ化ボロンをイオン注入する。注入したフッ化ボロンのアニールをも兼ねて、第1の温度より低い温度の熱処理を伴うCVD法により、ゲート側壁膜を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物をイオン注入することにより不純物拡散領域を形成する半導体装置の製造方法であって、イオン注入後の熱処理温度に対して再拡散長の最小点が存在する第1の不純物をイオン注入する第1の工程と、該第1の工程後、第1の温度で前記半導体基板を熱処理する第2の工程と、該第2の工程後、イオン注入後の熱処理温度に対して再拡散長が漸増する第2の不純物をイオン注入する第3の工程と、該第3の工程後、前記第1の温度より低い第2の温度で前記半導体基板を熱処理する第4の工程とを有する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

FI (6件)：

H01L29/78 301S ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/265 602B ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/78 301H

Fターム (27件)：

5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F140AA13 ,  5F140AA21 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BB12 ,  5F140BB15 ,  5F140BC07 ,  5F140BC17 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH35 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-153268   出願人：富士通株式会社