半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240564
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057408
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】ボンディングストレスが活性層に加わることを抑制し、信頼性の高い半導体レーザを構成すること。【解決手段】本発明の半導体レーザ1は、凸領域10aと凹領域10bとが隣接して形成されたn型の基板10と、基板10の凹領域10b内に、n型クラッド層21、活性層22、p型クラッド層23の順に形成される機能層20と、凸領域10aの側壁と機能層20との間に形成される溝部11と、基板10の凸領域10a上に形成されるn電極41と、機能層20上で、n電極41より基板10側に近い位置に形成されるp電極32と、n電極41およびp電極32とはんだ42を介して接続される実装用基板50とを備えている。

請求項（抜粋）：

凸領域と凹領域とが隣接して形成された第1導電型の基板と、前記基板の凹領域内に、第1導電型のクラッド層、活性層、第2導電型のクラッド層の順に形成される機能層と、前記凸領域の側壁と前記機能層との間に形成される溝部と、前記基板の凸領域上に形成される第1導電型に対応した第1電極と、前記機能層上で、前記第1電極より前記基板側に近い位置に形成される第2導電型に対応した第2電極と、前記第1電極および前記第2電極と導電性材料を介して接続される実装用基板とを備えることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/22 610 , H01S 5/022

FI (2件)：

H01S 5/22 610 , H01S 5/022

Fターム (9件)：

5F073AA01 , 5F073AB05 , 5F073CA05 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA23 , 5F073DA35 , 5F073FA15

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-053489
特開平2-067781
特開昭60-113486

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